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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.8
- 수록면
- 307 - 310 (4page)
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In this study, the silicon nitride thin film deposited in the space division PEALD was studied in more depth. The defect density and impurity concentration of the silicon nitride thin film have a great influence on reading and writing information, so it was confirmed how it changes according to the process conditions. Plasma treatment was performed to improve the density and impurities of the silicon nitride thin film, and it was analyzed how Plasma Treatment affects the defect density and impurity concentration of silicon nitride.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
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