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이 논문의 연구 히스토리 (6)
1991
TaSi2 형성시 단결정 실리콘 기판에 이온주입된BF2의 거동 ( The Behavior of BF2 Implanted Single Crystalline Si Substrates During the Formation of TaSi2 )
조현춘
,
양희준
,
최진석
외 1명
전자공학회논문지-A
1991.10
학술저널
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
전자공학회논문지-A
1991.04
학술저널
단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 $TaSi_2$형성에 미치는 영향
조현춘
,
최진석
,
고철기
외 1명
한국재료학회지
1991.01
학술저널
1990
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성.
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.11
학술대회자료
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.11
학술대회자료
Composite target으로 sputter시켜 형성된 TaSi2의 특성 ( The properties of TaSi2 formed by Stuttering from the composite target )
조현춘
,
양희준
,
최진석
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.07
학술대회자료
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불순물이 주입된 실리콘 기판에 500 두께의 탄탈륨 박막을 증착한 후 실리사이드를 형성시키기 위해 아르곤 분위기에서 급속열처리(RTA)률 하였다. 형성된 $TaSi_2$와 불순물의 거동은 XRD, SEM, 4-point probe, HP4145와 SIMS로 조사하였다. 불순물의 종류에 관계없이 $TaSi_2$는 RTA 온도가 $800^{\circ}C$일때 형성되기 시작하였으며 $1000^{\circ}C$이상에서 증착된 Ta가 전부 $TaSi_2$로 상 전이가 일어났다. 또한 $TaSi_2/P^+$영역에 대한 접촉저항간은 contact size가 $0.9{\times}0.9({\mu}{m^2}$)일때 $22{\Omega}$ 낮은값을 가졌으며 이온 주입된 불순물은 RTA처리시 형성된 $TaSi_2$층으로 out-diffusion이 일어났다.
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1991 .04
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1988 .01
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1990 .07
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Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구
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1991 .01
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Rapid Thermal Annealing for the Thermal Oxidation and the Activation of implanted Impurities
대한전자공학회 세미나
1992 .01
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Cu배선을 위한 Ta-Si-N Barrier에 관한 연구
한국재료학회지
1997 .01
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α-Fe2O3에 첨가한 미소량 Eu 불순물의 효과에 대한 연구
전기전자재료학회논문지
2003 .01
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Effects of the Impurity Gases on the Characteristics of ac PDP
전기전자재료학회논문지
2002 .01
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실리콘에서의 불순물 분포의 산출 ( Characterization of Impurity Profile in Silicon )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
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SIMS를 이용한 BF⁺₂ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .04
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Relationships Between Impurity Gas and Luminance/Discharge Characteristics of AC PDP
Journal of information display
2001 .01
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Si기판에 주입된 As이온이 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 - 1 - ( Effects of As Ions Implanted in Si Substrates on the Titanium-Silicides Formation )
전자공학회논문지
1989 .06
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실리콘에서의 2차원적 불순물의 분포의 산출 ( Characterization of Two-Dimensional Impurity Profile in Silicon )
전자공학회논문지
1986 .11
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MeV 이온주입된 실리콘의 열처리시 불순물과 이차결함간의 상호작용
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
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불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
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1991 .12
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Analysis of Impurities based on ICH Guide and Its Trends
한국생물공학회 학술대회
2008 .10
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수치해법에 의한 실리콘에서의 불순물의 분포의 산출 ( Numerical Evaluation of Impurity Profile in Silicon )
전자공학회지
1984 .11
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