실리콘에 MeV로 이온주입된 As 와 Sb의 profile과 열처리에의한 이온의 거동에 관한 연구 ( A Study of Profiles and annealing behavior of As and Sb by MeV implantation in silicon )

정원채

전자공학회논문지-D

1998 .03

MeV 이온빔 분석 기술

김태곤 ,  송종한

고분자 과학과 기술

2003 .02

MeV 이온주입에 의한 $P^{+}$ Buried Layer 형성시 발생하는 결함에 관한 연구

유승한 ,  장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

MeV 이온주입에 의해 형성된 Retrograde Triple well에서 발생하는 결함들의 상호작용

류한권 ,  김대영 ,  노재상 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

1 MeV argon 이온주입에의해 유기된 결함 및 회복기구의 XTEM 분석 ( XTEM Study of 1 MeV Ion Implantation Induced Defects in Si and Their Annealing Behavior )

김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 4명

전자공학회논문지-A

1993 .08

MeV $B^+$ 이온주입에 의한 Self-Gettering 효과

조남훈 ,  허태훈 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

Atomistic Mechanisms of Secondary Defect Formation and Self-Gettering in a MeV B+ Implanted Silicon

Nam Hoon Cho ,  Jae Sang Ro

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

1MeV 고에너지로 붕소(Boron)와 인(Phosphorus)을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

암 치료용 6MeV X-band 가속기 설계

신동원 ,  전석기 ,  김정일 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2014 .02

실리콘에서의 불순물 분포의 산출 ( Characterization of Impurity Profile in Silicon )

양영일 ,  경종민

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Optimization of the Profiles in MeV Implanted Silicon Through the Modification of Electronic Stopping Power

정원채

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2013 .01

BF+2 이온 주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구 ( A Study on the Lattice Damages and Impurity Depth Profiles of BF+2 Ion Implanted Silicon )

권상직 ,  백문철 ,  차주연 외 1명

전자공학회논문지

1988 .03

BF⁺₂ 이온주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구

권상직 ,  백문철 ,  차주연 외 1명

대한전자공학회 워크샵

1988 .04

고 에너지 (1.5 MeV) Boron 이온 주입과 초기 산소농도 조건이 깊은 준위에 미치는 영향에 관한 연구

송영민 ,  문영희 ,  김종오

한국재료학회지

2001 .01

실리콘에서의 2차원적 불순물의 분포의 산출 ( Characterization of Two-Dimensional Impurity Profile in Silicon )

양영일 ,  경종민

전자공학회논문지

1986 .11

고에너지 이온주입 공정에 의한 유기 결함과 그 감소 대책

김영호 ,  김인수 ,  김창덕 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

A Critical Behavior of Defect Density as a Function of Ion Dose During the Buried Layer Formation Using 1.5 MeV B Implantations

Yoon Taek Jang ,  Tae Hoon Huh ,  Jae Sang Ro

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

SIMS를 이용한 BF⁺₂ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구

이대훈 ,  손용선 ,  이순영 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1988 .04