불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )

조현춘 ,  최진석 ,  김동원 외 1명

전자공학회논문지-A

1991 .04

단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 $TaSi_2$형성에 미치는 영향

조현춘 ,  최진석 ,  고철기 외 1명

한국재료학회지

1991 .01

TaSi2 형성시 단결정 실리콘 기판에 이온주입된BF2의 거동 ( The Behavior of BF2 Implanted Single Crystalline Si Substrates During the Formation of TaSi2 )

조현춘 ,  양희준 ,  최진석 외 1명

전자공학회논문지-A

1991 .10

증착조건 변화에 따른 TaSi2 FILM의 Rs 변화 ( Rs CHARACTERISTICS OF TaSi2 FILM DUE TO THE CHANGE OF DEPOSITION CONDITION )

박남규 ,  여인석 ,  김우식 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

Composite target으로 sputter시켜 형성된 TaSi2의 특성 ( The properties of TaSi2 formed by Stuttering from the composite target )

조현춘 ,  양희준 ,  최진석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구

최진석 ,  조현춘 ,  황유상 외 2명

한국재료학회지

1991 .01

불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi₂의 특성.

조현춘 ,  최진석 ,  김동원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )

최진석 ,  황유상 ,  강성건 외 5명

전자공학회논문지-A

1991 .12

불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )

황유상 ,  김동원 ,  문환구 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

Cu배선을 위한 Ta-Si-N Barrier에 관한 연구

신영훈 ,  김종철 ,  이종무

한국재료학회지

1997 .01

Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )

김광일 ,  이상환 ,  정욱진 외 4명

전자공학회논문지-A

1994 .08

SIMS를 이용한 BF2+ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구

이대훈 ,  손용선 ,  이순영 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1988 .01

TiN/TiSi₂ 경합반응과 불순물 재분포 특성에 대한 기판 실리콘에 주입된 BF₂ 불순물 농도의 영향

李鐵眞 ,  成英權

전기학회논문지

1993 .06

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )

손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산

손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

A$s^+$이온을 주입시킨 Si 표면부 미세구조와 특성

신동원 ,  최철 ,  박찬경 외 1명

한국재료학회지

1992 .01

BF2+ 이온주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구

권상직 ,  백문철 ,  차주연 외 1명

대한전자공학회 워크샵

1988 .01

유리 ∥실리콘 기판 직접 접합에 대한 연구

민홍석 ,  주영창 ,  송오성 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2000 .05

실리콘 웨이퍼의 이온주입각 변화에 의한 이온반사율에 관한 연구

姜龍哲 ,  李愚宣 ,  朴榮俊

전기학회논문지

1991 .06

Si기판에 주입된 As이온이 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 - 1 - ( Effects of As Ions Implanted in Si Substrates on the Titanium-Silicides Formation )

정주혁 ,  최진석 ,  백수현

전자공학회논문지

1989 .06