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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1991.10
- 수록면
- 814 - 820 (7page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
1991
TaSi2 형성시 단결정 실리콘 기판에 이온주입된BF2의 거동 ( The Behavior of BF2 Implanted Single Crystalline Si Substrates During the Formation of TaSi2 )
조현춘
,
양희준
,
최진석
외 1명
전자공학회논문지-A
1991.10
학술저널
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
전자공학회논문지-A
1991.04
학술저널
단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 $TaSi_2$형성에 미치는 영향
조현춘
,
최진석
,
고철기
외 1명
한국재료학회지
1991.01
학술저널
1990
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성.
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.11
학술대회자료
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.11
학술대회자료
Composite target으로 sputter시켜 형성된 TaSi2의 특성 ( The properties of TaSi2 formed by Stuttering from the composite target )
조현춘
,
양희준
,
최진석
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.07
학술대회자료
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불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
전자공학회논문지-A
1991 .04
-
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
-
단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 $TaSi_2$형성에 미치는 영향
한국재료학회지
1991 .01
-
증착조건 변화에 따른 TaSi2 FILM의 Rs 변화 ( Rs CHARACTERISTICS OF TaSi2 FILM DUE TO THE CHANGE OF DEPOSITION CONDITION )
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
-
Composite target으로 sputter시켜 형성된 TaSi2의 특성 ( The properties of TaSi2 formed by Stuttering from the composite target )
대한전자공학회 학술대회
1990 .07
-
BF2+가 이온 주입된 코발트로부터 확산하여 얻어진 매우 얇은 p+ / n 접합의 형성 ( Formation of Ultra-shallow p+ / n Junction by Diffusion from BF2+ Implanted Co Metal )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
-
SIMS를 이용한 BF⁺₂ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .04
-
Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구
한국재료학회지
1991 .01
-
B+ 및 BF2+ 가 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 Annealing 효과 ( Annealing Effect ofr the B+- and BF2+- Implanted Silicon Wafers )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
-
Si 기판에 주입된 BF2불순물이 Ti Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of Implanted BF2 on the Formation of Ti-Silicides )
전자공학회논문지
1990 .12
-
BF+2 이온 주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구 ( A Study on the Lattice Damages and Impurity Depth Profiles of BF+2 Ion Implanted Silicon )
전자공학회논문지
1988 .03
-
BF⁺₂ 이온주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .04
-
SIMS를 이용한 BF2+ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .01
-
BF2 이온 주입으로 형성된 a-Si 및 poly-Si 층을 혼합한 새로운 P+ 게이트 전극 구조 특성 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
-
대나무 섬유(BF) 및 PP/BF 복합체의 물성에 미치는 BF의 화학적 처리의 영향
공업화학
2018 .01
-
BF2+ 이온주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .01
-
대나무 섬유(BF) 실란처리가 폴리프로필렌(PP)/에틸렌-옥텐 고무/BF 복합체의 물성에 미치는 영향
폴리머
2017 .07
-
BF2를 주입한 다결정 실리콘 게이트에서 유전 박막에 따른 Boron 침투에 대한 특성 분석 ( The Characteristics Analysis of Boron Penetration on BF2 Implanted gate with Dielectric Films )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
Si 기판에 주입된 Boron , BF2이온이 RTP법에 의한 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of Boron , BF2 ions Si Substrates for the Titanium-Silicides formation vy RTP method )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
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