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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
홍광준 (조선대학교 물리학과)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제12권 제4호
발행연도
2001.1
수록면
197 - 206 (10page)

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수평 전기로에서 AgInS&#8322; 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 AgInS&#8322; 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. AgInS&#8322; 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 680&#8451;, 기판의 온도 410&#8451;였고 성장 속도는 0.5&#13211;/hr였다. AgInS&#8322; 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence)스펙트럼이 597.8 nm(2.0741 eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 박폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.35&times;10<SUP>16</SUP>&#13220;, 294&#13216;/V&middot;s 였다. AgInS&#8322; /SI(SEmi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap E<SUB>g</SUB>(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.1365eV-(9.89&times;10<SUP>-3</SUP>eV/K/)T&sup2;(T+2930K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamiltopn matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting &Delta;cr값이 0.1541eV이며 spin-orbit &Delta;so 값은 0.0129eV임을 확인하였다. 10K일때 광전류 봉우리들은 n=1 일때 A&#8321;-, B-&#8321;와 C&#8321;-exction 봉우림을 알았다.

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