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Hot-wall evaporation technique으로 세라믹 기판 위에 CdS 박막을 성장하였다. 이 때 증발원과 기판의 온도는 각각 570, 400℃이고 두께는 3㎛이었다. 공기 중에서 열처리하여 감도(γ), 광전류와 암전류의 비(pc/dc), 최대허용소비전력(MAPD), spectral response 및 응답시간 등을 측정하였다. 550℃, 30분간 열처리한 경우 가장 좋은 광전도 특성을 얻었으며 γ=0.89, pc/dc≡10⁴, MAPD: 492 ㎽, rise time이 100 ㎳, decay time이 260 ㎳이었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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