Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Al Film for Direct Growth on $SiO_2$ Using Dimethylethylamine alane(DMEAA)

Kim, Dong-Chan; Kim, Byung-Yoon; Kim, Young-Soung; Joo, Seung-Ki

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자료유형: 학술저널

저자정보: Kim, Dong-Chan (Dept. of Metall. Eng., Seoul National University) Kim, Byung-Yoon (Dept. of Metall. Eng., Seoul National University) Kim, Young-Soung (Dept. of Metall. Eng., Seoul National University) Joo, Seung-Ki (Dept. of Metall. Eng., Seoul National University)

저널정보: 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호

발행연도: 1995.1

수록면: 895 - 898 (4page)

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A thin film of Aluminum for ultra large scale integrated circuits(ULSI) metallization has been formed by PECVD using DMEAA(Dimethylethylamine alane) as a precursor. It was found that the Al film could be deposited on Si$O_2$ substrate when the hydrogen plasma was utilized for pyrolysis of DMEAA. Comparing to thermal CVD, reflectivity as well as the resistance was much better in PECVD Al film on Si$O_2$. Conformal step coverage turned out to be excellent when the PECVD Al film was deposited on the submicron contact holes.

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김동찬

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논문수 21 이용수 28

Kim, Byung-Yoon

소속기관 Dept. of Metall. Eng., Seoul National University

주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

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Kim, Young-Soung

소속기관 Dept. of Metall. Eng., Seoul National University

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Joo, Seung-Ki

소속기관 Div. of MS. & E., College of Engineering. Seoul National University

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