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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
온창민 (울산대학교 전기전자정보시스템공학부) 정귀상 (울산대학교 전기전자정보시스템공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
발행연도
2007.1
수록면
183 - 187 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

다결정 3C-SiC 박막의 마그네트론 RIE 식각 특성
온창민 ,  정귀상 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2007.01 학술대회자료

2006

다결정 3C-SiC/TiW Ohmic Contact에 관한 연구
온창민 ,  정귀상 대한전기학회 학술대회 논문집 2006.07 학술대회자료

초록· 키워드

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The magnetron reactive ion etching (RIE) characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC grown on $SiO_2$/Si substrate by APCVD were investigated. Poly 3C-SiC was etched by $CHF_3$ gas, which can form a polymer as a function of side wall protective layers, with additive $O_2$ and Ar gases. Especially, it was performed in magnetron RIE, which can etch SiC at lower ion energy than a commercial RIE system. Stable etching was achieved at 70 W and the poly 3C-SiC was undamaged. The etch rate could be controlled from $20\;{\AA}/min$ to $400\;{\AA}/min$ by the manipulation of gas flow rates, chamber pressure, RF power, and electrode gap. The best vertical structure was improved by the addition of 40 % $O_2$ and 16 % Ar with the $CHF_3$ reactive gas. Therefore, poly 3C-SiC etched by magnetron RIE can expect to be applied to M/NEMS applications.

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