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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최만성 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부) 김광선 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제8권 제4호
발행연도
2009.1
수록면
1 - 5 (5page)

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This investigation is applied Taguchi method and the analysis of variance(ANOVA) to the reactive ion etching(RIE) characteristics of $SiO_2$ film coated on a wafer with Experimental Analysis and Optimization of $CF_4/O_2$ Plasma Etching Process mixture. Plans of experiments via nine experimental runs are based on the orthogonal arrays. A $L_9$ orthogonal array was selected with factors and three levels. The three factors included etching time, RF power, gas mixture ratio. The etching rate of the film were measured as a function of those factors. In this study, the etching thickness mean and uniformity of thickness of the RIE are adopted as the quality targets of the RIE etching process. The partial factorial design of the Taguchi method provides an economical and systematic method for determining the applicable process parameters. The RIE are found to be the most significant factors in both the thickness mean and the uniformity of thickness for a RIE etching process.
#Reactive Ion Etching #Taguchi Method

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