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저자정보
강교성 (충주대학교) 권순일 (충주대학교) 양계준 (충주대학교) 김홍오 (충주대학교) 임동건 (충주대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2007년 하계종합학술대회
발행연도
2007.7
수록면
877 - 878 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

ICP-RIE 방법에 의한 Si 식각 특성 개선에 관한 연구
강교성 ,  권순일 ,  양계준 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료
ICP-RIE 방법에 의한 Si 식각 특성 개선에 관한 연구
강교성 ,  권순일 ,  양계준 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료

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In this paper, deep trench etching of silicon was investigated as a function of source power (300∼600 W), DC bias voltage (0∼-100 V), O2 addition (0∼ 29%). As increasing the RF source power from 300 W to 700 W, the etch rate was increased from 3.52 ㎛/min to 7.07 ㎛/min. The addition of O₂ gas improved ... 전체 초록 보기

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