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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제1호
발행연도
2001.4
수록면
27 - 30 (4page)

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절연보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선에서 DC와 PDC 조건하에서의 Electromigration 현상에 관하여 조사하였다. SiO₂와 PSG/SiO₂ 절연보호막 층을 갖는 박막배선은 표준 사진식각 공정으로 제작되었고, 테스트라인 길이는 100, 400, 800, 1200, 1600 ㎛이다. Al-1%Si 박막배선에 고정된 전류밀도 1.19×10^7A/㎠의 DC와 duty factor가 0.5인 1㎐의 주파수에 고정된 전류밀도 1.19×10^7A/㎠의 PDC를 인가하였다. Electromigration 테스트에서 PSG/SiO₂절연보호막 시편의 Electromigration 저항성이 SiO₂ 절연보호막 시편보다 우수함을 알 수 있었다. PDC에서 박막 배선의 수명이 DC보다 2-4배 정도 길게 나타났으며, 박막 배선의 길이가 증가 할 수록 수명이 감소하다가 임계길이 이상에서 포화되는 경향을 보인다. Electromigration에 의한 결함 형태로는 전기적 개방을 야기시키는 보이드와 전기적 단락을 야기시키는 힐록이 지배적이다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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