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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
89 - 96 (8page)

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최근 미세전자 소자에서 초고집적, 적층구조 추세는 선폭이 0.25㎛ 이하까지 소형화되고 있는 실정이다. 이러한 미세화는 박막배선에서 높은 전류밀도를 초래하게 된다. 높은 전류밀도 하에서는 엘렉트로마이그레이션에 의한 결함발생이 미세전자 소자에서의 치명적인 문제점의 하나로 대두되고 있다. 본 연구는 Ag, Cu, Au, 그리고 Al 박막 등에서 엘렉트로마이그레이션 특성을 조사함으로써 박막배선 재료를 개선하기 위한 것이다.
고전기전도도를 갖고 있는 Ag, Cu, Au, 그리고 Al 박막배선에서 엘렉트로마이그레이션에 대한 저항 특성을 결함발생 시간 분석으로부터 활성화 에너지를 측정함으로써 조사하였다. 광학현미경 그리고 XPS 분석이 박막에서의 결함분석에 사용되었다.
Cu 박막이 엘렉트로마이그레이션에 대해 상대적으로 높은 활성화 에너지를 보였다. 따라서 Cu 박막이 높은 전류밀도 하에서 엘렉트로마이그레이션에 대한 높은 저항성이 요구되는 차세대 미세전자 소자에서 적합한 박막배선 재료로서의 가능성을 갖는 것으로 판단된다. 보호막 처리된 Al 박막은 평균수명 증가, 엘렉트로마이그레이션에 대한 저항 특성 향상을 나타내며 이는 보호막 층과 박막배선 재료 계면에서의 유전 보호막 효과에 기인하는 것으로 사료된다.
#Electromigration #Thin film interconnection #Mean lifetime #Activation energy #엘렉트로마이그레이션 #박막배선 #평균수명 #활성화 에너지

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiment
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Summary
Acknowledgements
References
국문초록

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 1994 / Second International Stress Workshop on Stress Induced Phenomena in Metallization American Institute of Physics : 165 ~ google schola

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