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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제3호
발행연도
1995.9
수록면
327 - 333 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1995

극소전자 디바이스를 위한 Al - 1%Si 박막배선에서의 Electromigration 특성
박영식 ,  김진영 Applied Science and Convergence Technology 1995.09 학술저널
극소전자 디바이스를 위한 Al - 1%Si 박막배선에서의 electromigration 특성
박영식 ,  김진영 한국진공학회 학술발표회초록집 1995.06 학술대회자료

초록· 키워드

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전자소자의 축소화에 따라 박막배선에서의 electromigration은 점차 극소전자 디바이스의 주요 결함 원인으로 부각되고 있다. 본 실험에서는 현재 박막 배선 재료로 가장 널리 사용되고 있는 Al-1%Si 금속박막배선의 electromigration에 대한 온도 및 배선길이의 의존성에 관하여 연구하였다. PSG(8000Å)/SiO₂(1000Å)/ A1-1%Si(7000Å)/SiO₂(5000Å)/p-Si(100)의 보호막처리된 시편과 Al-1%Si(7000Å)/SiO₂(5000Å)/p-Si(100)의 보호막처리되지 않은 시편 동을 standard photolithography 공정을 이용하여 각각 제작하였다. 선폭 3㎛, 길이 100, 400, 800, 1600 ㎛ 등의 Al-1%Si 박막배선구조를 사용하였다. 가속화실험을 위해 인가된 d.c. 전류밀도는 4.5×10^6 A/㎠이었고 실온에서 100℃까지의 분위기 온도에서 electromigration test를 진행하였다. 박막배선의 길이에 따른 MIF(Mean-Time-to-Failure) 는 임계길이 이상에서 포화되는 경향을 보이며 이는 보호막층의 유무에 관계없이 나타난다. 선폭 3㎛인 Al-1%Si 박막배선에서 임계길이는, 보호막처리된 시편은 800㎛, 보호막 처리되지 않은 시편은 400㎛ 배선길이에서 나타난다. 이러한 포화의 경향은 낮은 온도에서 더욱 명확해지는 특성을 보인다. 각 시편에서 electromigration에 대한 활성화에너지도 MTF의 특성과 유사하게 임계길이 이상에서 포화되는 특성을 보인다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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