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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김진영 (광운대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제22권 제3호
발행연도
2013.5
수록면
126 - 130 (5page)

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PSG/SiO₂ 보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선 내 sodium (Na)과 수분(H₂O) 게터링(gettering) 현상을 측정, 분석하였다. PSG/SiO₂ 보호막과 Al-1%Si 박막을 상압CVD (APCVD: atmosphere pressure chemical vapor deposition)법과 DC 마그네트론 스퍼터로 각각 증착하였고, 이차이온 질량분석기(SIMS: secondary ion mass spectrometry)를 이용한 깊이분포측정(depth profiling) 분석을 통해 PSG/SiO₂ 보호막으로부터 Al-1%Si 박막배선 층까지의 sodium과 수분 등 성분들의 분포를 확인하였다. Sodium과 수분 피크 모두 Al-1%Si 박막배선 내부보다는 막 간 계면에서 강하게 나타났다. PSG와 SiO₂ 보호막 계면에서는 sodium 피크는 관찰되었지만 수분 피크는 관찰되지 않았다.

목차

I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 고찰
IV. 결론
참고문헌

참고문헌 (14)

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