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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.2 No.2
- 발행연도
- 1998.10
- 수록면
- 107 - 117 (11page)
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Epitaxial undoped and Sb-doped Si films have been grown on Si(001) substrates at temperatures T_s between 80 and 750℃ using energetic Si in ultra-high-vacuum Kr^+-ion-beam sputter deposition(IBSD). Critical epitaxial thicknesses t_e, the average thickness of epitaxial layers, in undoped films were found to range from 8 nm at T_s=80℃ to ＞1.2 μm at T_s=300℃ while Sb incorporation probabilities σ_(sb) varied from unity at T_s<~550℃ to ~_0.1 at 750℃. These t_e and σ_(sb) values are approximately one and one-to-three orders of magnitude, respectively, higher than reported results achieved with molecular-beam epitaxy. Plan-view and cross-sectional transmission electron microscopy, high-resolution x-ray diffraction, channeling and axial angular-yield profiles by Rutherford backscattering spectroscopy for epitaxial Si_(1-x)Ge_x(001) alloy films (0.15≤x≤0.30) demonstrated that the films are of extremely high crystalline quality. Critical layer thicknesses h_s, the film thickness where strain relaxation starts, in these alloys were found to increase rapidly with decreasing growth temperature. For Si_(0.70)Ge_(0.30), h_c ranged from ~_35 nm at T_s=550℃ to ~_650 nm at 350℃ compared to an equilibrium value of 8 nm.
목차
Abstract
1. INTRODUCTION
2. EXPERIMENTAL PROCEDURE
3. RESULTS AND DISCUSSION
4. CONCLUSIONS
Acknowledgements
References
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