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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1999.5
- 수록면
- 148 - 152 (5page)
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Si/Si_(1-x)Ge_x quantum well 디바이스에서의 저온 자기저항 효과를 관찰하여 전도전자의 2차원적 전자 기체 (2 Dimensional Electron Gases) 성향 및 전자이동도에 관하여 연구하였다. 이를 위해 기체원 MBE(gas source Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 n 형 Si/Si_(1-x)Ge_x Quantum Well 디바이스를 제작하였다. 열산화막은 700℃에서 7 시간동안 산소분위기에서 건식 형성되었다. 전자이동도는 0.4 K까지의 저온에서 호올 효과와 자기저항 효과를 이용하여 측정하였다. Shubnikov-de Haas(SdH) 진동이 저온에서 명확히 나타났으며 이는 장력변형된 Si quantum well에서 2차원적인 전자기체(2DEG)가 형성되었음을 보여준다. 전자 면밀도는 1.5×10¹²[㎝-²] 그리고 상응하는 전자이동도 14200 [㎠V^(-1)s-¹]가 0.4 K 저온에서 열산화막이 형성된 Si/Si_(1-x)Ge_x quantum well 구조에서 측정되었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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