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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제4호
발행연도
2000.12
수록면
346 - 352 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2001

후속 열처리에 따른 W / WNx / poly Si₁-xGex의 계면 반응 및 W / WNx / poly Si₁-xGex MOS Capacitor 구조의 전기적 특성 분석
강성관 ,  김재진 ,  고대홍 외 6명 한국진공학회 학술발표회초록집 2001.02 학술대회자료

2000

Poly Si₁-xGex 박막의 산화 거동 연구
강성관 ,  고대홍 ,  오상호 외 5명 Applied Science and Convergence Technology 2000.12 학술저널
Poly Si₁-xGex의 산화 거동 분석
강성관 ,  고대홍 ,  이기철 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2000.02 학술대회자료

초록· 키워드

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15%와 42%의 Ge 함량을 갖는 poly Si_(1-x)Ge_x 박막을 700℃의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly Si_(0.85)Ge_(0.15) 박막의 경우, GeO₂에 비해 열적으로 안정한 SiO₂가 우천 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge 농도가 증가함을 확인하였다. Poly Si_(0.58)Ge_(0.42) 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 GeO₂와 Ge의 형태로 존재하였고, 이러한 GeO₂의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 산화 모델을 제 시하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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