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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 660 - 664 (5page)
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Titanium nitride (TiN) thin films are widely used for hard coatings due to their superior hardness, chemical stabilitiy, low friction and good adhesion properties. In this study, we investigated the effect of DC power on the characteristics of TiN thin films deposited on Si and glass substrates by DC magnetron sputtering using TiN target. We made TiN films of 300 nm thickness with various DC powers. The structural properties of films are investigated by x-ray diffractions (XRD) and tribological properties are measured by nano-indentation, nano-scratch tester. The rms roughness was measured by atomic forced microscopy (AFM). In the result, TiN films had the smooth surface and exhibited (111) directions with the increase of DC Power. Also, especially in case of 175 W DC power, TiN film exhibited the maximum hardness about 8 GPa, and the critical load near 25.
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A. Kagiyama / 2003 / Effect of nitriding and TiN coating temperatures on the corrosion resistance of the combined surface modification layer / Surf. Coat. Tech 169-170 : 397
Efeoglu / 2000 / Multi-pass sub-critical load testing of titanium nitride coatings / Thin Solid Films 377-378 : 346 ~
F. Vaz / 2002 / Influence of nitrogen content on the structural, mechanical and electrical properties of TiN thin films / Surf. Coat. Tech 191 : 317 ~
J.W. Uhm / 2001 / TiN Diffusion barrier grown by atomic layer deposition method for Cu metallization / Jpn. J. Appl. Phys 40 : 4657 ~
J.Y. Yun / 2003 / Investigation of the contact resistance between Ti/TiN and Ru in metal-1/plate contacts of ruthenium insulator silicon capacitor / Jpn. J. Appl. Phys 42 : 1
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F. Vaz / 2002 / Influence of nitrogen content on the structural, mechanical and electrical properties of TiN thin films / Surf. Coat. Tech 191 : 317 ~
J.W. Uhm / 2001 / TiN Diffusion barrier grown by atomic layer deposition method for Cu metallization / Jpn. J. Appl. Phys 40 : 4657 ~
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