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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제6호
발행연도
2009.1
수록면
200 - 202 (3page)

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Tin oxide thin films were prepared by atomic layer deposition using a tetrakis(ethylmethylamino) tin precursor without any seed layer. The average growth rate of tin oxide film is about 1.2 A/cycle from 50oC to 150oC. The rate decreases rapidly at a substrate temperature of 200oC. ALD-grown tin oxide thin film was characterized with the use of XRD, AFM and XPS. Due to a thermal annealing effect, the surface roughness and the tin amount in the film composition are slightly increased.

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