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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 41 - 46 (6page)
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The low dielectric SiOCH films were deposited on p-type Si(100) substrates through the dissociation of BTMSM (((CH₃)₃Si)₂CH₂) precursors with oxygen gas by using PECVD method. BTMSM precursor was introduced with the flow rates from 42 to 60 sccm by 2 sccm step into reaction chamber but with the constant flow rate of 60 sccm O₂. SiOCH thin films were annealed at 450 ℃ for 30 minutes. The electrical property of SiOCH thin films was studied by MIS, Al/SiOCH/p-Si(100), structure. Annealed samples showed large reduction of the maximum capacitance yielding low dielectric constant owing to reductions of surface charge density. After exposure at room temperature and atmospheric pressure, dielectric constant of SiOCH films was totally increased. However, annealed SiOCH thin films were more stable than as-deposited SiOCH thin films for natural oxidation.
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A. Grill / 2003 / Plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH dielectrics: from low-k to extreme low-k interconnect materials / J. of Applied Physics 93 : 1785 ~
C. H. Ting / 1995 / Methods and needs for low-k material research / Mat. Res. Symp. Proc. : 3 ~
Grill A. / 1999 / Low dielectric constant SiCOH films as potential candidates for interconnect dielectrics / Mat. Res. Soc. Symp. Proc. : 107 ~
Grill A. / 2001 / Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition / Applied Physics letters 79 : 803 ~
M. R. Baklanov / 2006 / Porous low dielectric constant materials for microelectr- onics / Phil. Trans. R. Soc. 364 : 201 ~
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Grill A. / 1999 / Low dielectric constant SiCOH films as potential candidates for interconnect dielectrics / Mat. Res. Soc. Symp. Proc. : 107 ~
Grill A. / 2001 / Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition / Applied Physics letters 79 : 803 ~
M. R. Baklanov / 2006 / Porous low dielectric constant materials for microelectr- onics / Phil. Trans. R. Soc. 364 : 201 ~
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