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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 354 - 361 (8page)
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The dielectric characteristics of low-k interlayer dielectric materials was fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). BTMSM precursor was evaporated and introduced with the flow rates from 16 sccm to 25 sccm by 1sccm step in the constant flow rate of 60 sccm O₂ in process chamber. Manufactured samples are analyzed components by measuring FT/IR absorption lines. Decomposition each Microscopic structures through two-dimensional correlation analysis about mechanisms for the formation of SiOCH in SiOCH₃, Si-O-Si and Si-CH₃ bonding group and analyzed correlation between the micro-structure of each group. It is a tendency that seems to be growing of Si-O-Si(C) bonding group and narrowing of Si-O-CH₃ bonding group relative to the increasing flow-rate BTMSM. The order of changing sensitivity about changes of flow-rate in Si-O-Si(C) bonding group is cross link mode(1050 ㎝-1) → open link mode(1100 ㎝-1) → cage link mode (1140 ㎝-1).
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A. Grill / 2003 / Plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH dielectrics: from low-k to extreme low-k interconnect materials / J. of Applied Physics 93 : 1785 ~
C.H. Ting / 1995 / Methods and needs for low-k material research / Mat. Res. Symp. Proc 381 : 3 ~
Grill, A. / 1999 / Low dielectric constant SiCOH films as potential cadidates for interconnect dielectrics / Mat. Res. Soc. Symp. Proc : 107 ~
Grill, A. / 2001 / Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition / Applied Physics letters 79 : 803 ~
Nara, A. / 1997 / Low dielectric constant insulator formed by downstream plasma CVD at room temperature using TMS/O2 / Jpn. J. Appl. Phys 36 : 1477 ~
C.H. Ting / 1995 / Methods and needs for low-k material research / Mat. Res. Symp. Proc 381 : 3 ~
Grill, A. / 1999 / Low dielectric constant SiCOH films as potential cadidates for interconnect dielectrics / Mat. Res. Soc. Symp. Proc : 107 ~
Grill, A. / 2001 / Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition / Applied Physics letters 79 : 803 ~
Nara, A. / 1997 / Low dielectric constant insulator formed by downstream plasma CVD at room temperature using TMS/O2 / Jpn. J. Appl. Phys 36 : 1477 ~
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