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한국정보기술학회 Proceedings of KIIT Conference 한국정보기술학회 2009년도 Green IT융합기술 워크숍 및 하계 종합 학술 대회 논문집
발행연도
2009.6
수록면
510 - 514 (5page)

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PECVD를 이용하여 p-type Si(100) 기판위에 Low-k 특성의 SiOCH 박막을 형성하였다. O₂는 60 sccm으로 고정시키고 BTMSM ((CH₃)₃Si)₂CH₂) 전구체 유량은 42 ~ 60 sccm으로 2 sccm씩 변화를 주면서 박막을 형성하였으며, 450℃에서 30분 동안 후 열처리를 실시하였다. SEM을 이용하여 형성된 SiOCH 박막의 단면을 분석하였으며, MIS(Al/SiOCH/p-Si(100)) 구조를 제작하여 C-V 특성을 측정하였다. 열처리 후 SiOCH 박막 표면의 최대 커패시턴스가 감소하는 것은 박막의 유전상수 감소는 표면전하밀도의 감소에 의한 것으로 확인되며, 획득된 최대 커패시턴스 값으로부터 유전상수를 얻었다. 열처리 후 감소한 표면전하밀도가 k?2.1의 낮고 안정된 유전상수를 형성하는 주된 원인으로 분석되었다.
#PECVD #SiOCH #BTMSM #SEM #Ellipsometer #Capacitance #Surface Charge Density

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

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