BTMSM/O₂ 유량변화에 따른 SiOCH 박막의 저유전 특성

박인철; 김홍배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박인철 김홍배

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제2호

발행연도: 2009.1

수록면: 132 - 136 (5page)

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SiOC thin film of hybrid-type that is the limelight as low dielectric material of next generation were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method with bistrimethylsilylmethane (BTMSM) precursor increased by 2 sccms from 24 sccms to 32 sccm. Manufactured samples are analyzed components by measuring FT/IR absorption lines. It is a tendency that seems to be growing of Si-O-Si(C) bonding group and narrowing of Si-O-CH3 bonding group relative to the increasing flow-rate BTMSM. The chemical shift in the XPS analysis was shown in the specimens between the BTMSM=26 sccm and BTMSM = 28 sccm. The binding energy of Si 2p, C 1s and O 1s electron orbit spectra was the low-est at the specimen of the BTMSM=26 sccm. From the results of electrical properties using the 1 MHz C - V measurements, the dielectric constant was 2.32 at the specimen with the BTMSM = 26 sccm.

#Low-k #PECVD #BTMSM/O2 #SiOCH #FTIR

참고문헌 (8)

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C. S. Yang / 2006 / Investigation of low dielectric carbon-doped silicon oxide films prepared by PECVD using methyltrimethoxysilane precursor / Thin Solid Films 506-507 : 50

Jun Xu / 2004 / Annealing Effects on the Structural and Electrical Properties of SiOC(-H) Films with Low Dielectric Constant prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposi

M. Morgen / 2000 / Low dielectric constant materials for ULSI interconnects / Annu. Rev. Mater. Sci. 30 : 645 ~

M. R. Baklanov / 2006 / Porous low dielectric constant materials for micro- electronics / Phil. Trans. R. Soc.A 364 : 201 ~

T. Oh / 2003 / Bonding structure of the cross-link in organosilicate films using O2/BTMSM precursors / Jpn. J. Appl. Phys. 42 : 1517 ~

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