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초임계이산화탄소에서 실릴화제를 사용하여 반응시간, 압력, 온도를 변화하며 플라스마에 의해 손상된 다공성 p-SiOCH 필름의 실릴화 보수반응을 진행하였다. FT-IR 분석 결과 3150 ~ 3560 cm-1 영역의 SiOH/H₂O 특성밴드의 감소는 다소 확인할 수 있었지만, 메틸화 peak의 변화치는 관찰하기 어려웠다. 그러나 실릴화에 따른 표면 소수성은 빠른 반응시간 내에 복원되었다. 내부 복원반응을 효과적으로 유도하기 위하여 열전처리 공정을 상압 또는 진공 조건에서 진행하였으며, 전처리에 따라 표면 접촉각이 약간 상승하였고, 뒤이은 초임계 실릴화반응으로 표면 소수성이 완전히 복원되는 것을 관찰하였다. 플라스마 손상과정에서 표면 내부 메틸기의 감소가 나타나지만 실릴화 보수반응에 따라 메틸기의 복원은 눈에 띄게 나타나지 않음을 FT-IR, spectroscopic ellipsometry 와 secondary ion mass spectroscopy의 분석결과를 통하여 확인하였다. 막질에 대한 Ti 증착 후 glow discharge spectrometry로 내부 Ti 원소를 분석한 결과, 초임계 실릴화반응을 통하여 손상된 p-SiOCH막질의 열린 기공의 봉인효과가 나타나는 것을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사
참고문헌
참고문헌 (19)
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1. [학술지(정기간행물)] - Havemann, R. H / 2001 / High-performance Interconnects: An Integration Overview / Proc. IEEE 89 (5) : 586 ~ 601
2. [학술지(정기간행물)] - Davis, J. A / 2001 / Interconnect Limits on Gigascale Integration (GSI) in The 21st Century / Proc. IEEE 89 (3) : 305 ~ 322
3. [학술지(정기간행물)] - Ligatchev, V / 2002 / Atomic Structure and Defect Densities in Low Dielectric Constant Carbon Doped Hydrogenated Silicon Oxide Films, Deposited by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition / J. Appl. Phys 92 (8) : 4605 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Ting, C. Y / 2003 / Preparation of Ultralow Dielectric-constant Porous Silica Films Using Tween 80 as a Template / J. Electrochem. Soc 150 (8) : 164 ~ 167
5. [학술지(정기간행물)] - Tsai, T. G / 2002 / Formation and Icrostructure of Mesoporous Silica Films with Ultralow Dielectric Constants / J. Electrochem. Soc 149 (9) : 116 ~ 121
2. [학술지(정기간행물)] - Davis, J. A / 2001 / Interconnect Limits on Gigascale Integration (GSI) in The 21st Century / Proc. IEEE 89 (3) : 305 ~ 322
3. [학술지(정기간행물)] - Ligatchev, V / 2002 / Atomic Structure and Defect Densities in Low Dielectric Constant Carbon Doped Hydrogenated Silicon Oxide Films, Deposited by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition / J. Appl. Phys 92 (8) : 4605 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Ting, C. Y / 2003 / Preparation of Ultralow Dielectric-constant Porous Silica Films Using Tween 80 as a Template / J. Electrochem. Soc 150 (8) : 164 ~ 167
5. [학술지(정기간행물)] - Tsai, T. G / 2002 / Formation and Icrostructure of Mesoporous Silica Films with Ultralow Dielectric Constants / J. Electrochem. Soc 149 (9) : 116 ~ 121
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