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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제12호
발행연도
2008.1
수록면
1,090 - 1,095 (6page)

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The SiOCH films that low dielectric interlayer dielectric materials were deposited on p-type Si(100) substrates through the dissociation of BTMSM precursors with oxygen gas by using PECVD method. BTMSM precursor was introduced with the flow rates from 42 sccm to 60 sccm by 2 sccm step in the constant flow rate of 60 sccm O₂. SiOCH thin films were annealed at 450 ℃ for 30 minutes. The electrical property of SiOCH thin films was studied by MIS, Al/SiOCH/p-Si(100), structure. Annealed samples showed even greater reductions of the maximum capacitance and the dielectric constant of the SiOCH samples, owing to reductions of surface charge density. we confirmed this result with derivative of C-V characteristic, leakage current density. The maximum capacitance and leakage current density were respectively decreased about 4 pF, 60 % after annealing. The average of low-k value is approximatly 2.07 after annealing.

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