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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.11
- 수록면
- 349 - 352 (4page)
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In this paper, we found an unintended oxidation on the Nickel-silicide surfaces, which arises only As doped substrate when we adopt it to the BF₂, B₁₁ and As doped substrates. The abnormal oxidation phenomena happened when As doped substrate is annealed after the NiSi formation. It is revealed that
the main reason of the oxidation is the thermal energy that working between As and Si in the Silicide layer and substrate. Oxide distributes only above the silicide-island when the agglomeration happens. It is highly necessary to prevent the unwanted oxygen because it can cause fatal defects to the nano
CMOSFET devices.
the main reason of the oxidation is the thermal energy that working between As and Si in the Silicide layer and substrate. Oxide distributes only above the silicide-island when the agglomeration happens. It is highly necessary to prevent the unwanted oxygen because it can cause fatal defects to the nano
CMOSFET devices.
목차
Abstrate
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고 문헌
참고문헌 (0)
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