메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제28권 제8호
발행연도
2015.1
수록면
486 - 489 (4page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
본 연구에서는 1,700 V Planar Type NPT IGBT와 1,700 V Planar Type FS IGBT를 설계한 결과 NPT IGBT의 비해 약 11%가 작게 형성되는 것을 확인하였다. 또한 실험을 통해서 Cell Size의 따라 항복전압과 온-상태 전압강하 분석을 하여 Cell Size가 커질수록 드리프트 영역이 커짐으로써 항복전압은 상승하지만 온 상태 전압강하는 상승하여 서로 간에 트레이드 오프관계를 확인하였으며, 드리프트 영역의 비저항에 따라서 드리프트 저항력으로 인하여 항복전압과 온 상태 전압 강하간에 관계를 확인하였다.
#Power device #IGBT #Power switching #Breakdown voltage #Field stop

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (5)

참고문헌 신청
Gates / 2001 / Introduction to Electronics 4/E Hardcover / Delmar google schola Malvino / 2006 / Electronic Principles / McGraw-Hill College google schola 강이구 / 2002 / 인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 15 (9) : 0 ~ 0 google schola 경신수 / 2009 / 고전압 전력소자를 보호하기 위한 Sense FET 설계방법 / 전기전자재료학회논문지 22 (1) : 12 ~ 16 google schola 남태진 / 2011 / Al₂O₃ 게이트 절연막을 이용한 GaN Power MOSFET의 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 24 (9) : 713 ~ 717 google schola

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0