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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제4호
발행연도
2012.1
수록면
266 - 269 (4page)

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파워 반도체 소자는 보통 1와트 이상의 전력 변환이나 제어를 하는 반도체 소자로 정류 다이오드, BJT(Bipolar Junction Transistor), GTO(Gate Turn Off thyristor), Power MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT(Insulated gate bipolar transistor) 등이 사용되고 있다. 그 중 IGBT 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원 공급 장치, 변환기, 태양광인버터, 가전제품 등에 널리 사용되고 있다. 이러한 IGBT의 소자의 쓰임새가 많아짐에 따라 효율을 높이기 위해 여러 가지 구조들이 나오고 있으며 그 중 하나인 Trench Gate IGBT 구조가 나온 이후 기생 JFET 성분이 발생하지 않으며 수직으로 형성된 Gate Channel을 통한 전류의 흐름이 원활하기 때문에 온 상태 전압강하 특성이 좋다. 또한 동일한 크기의 소자에서는 Trench gate 구조가 항복전압이 본 논문에서는 최적화 Planar Field Stop IGBT와 Trench Field Stop IGBT를 설계하여 두 소자의 전기적 특성 분석을 비교 분석 및 고찰하였다.
#Power device #Field Stop #IGBT #Trench gate

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B. J. Baliga / 1996 / Power Semiconductor Devices / PWS Publishing Company google schola E. G. Kang / 2000 / / J. KIEEME 13 : 371 ~ google schola J. S. Lee / 2006 / / J. KEEEME 19 : 912 ~ google schola 강이구 / 2010 / 2500 V급 NPT-IGBT소자의 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23 (4) : 273 ~ 279 google schola 경신수 / 2009 / 고전압 전력소자를 보호하기 위한 Sense FET 설계방법 / 전기전자재료학회논문지 22 (1) : 12 ~ 16 google schola

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