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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제4호
발행연도
2012.1
수록면
253 - 260 (8page)

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Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)는 고전압, 고전류에 적합한 파워 반도체로서 각광받고 있다. IGBT의 파워 소모를 줄이기 위해서는 온 상태 전압강하는 낮아야 하고 스위칭 타임은 짧아야 한다. 하지만 온 상태 전압강하가 감소할수록 항복전압이 증가하는 트레이드오프 관계가 있기 때문에 고전압 영역에서 사용하기 위해서는 최적화 지점을 잡는 것이 필요하다. 향상된 저기적 특성을 나타내는 소자를 설계하기 위하여 Field Stop IGBT가 제안되었다. 본 논문에서는 기본 NPT IGBT의 최적화된 구조에 Field Stop 층을 삽입하여 N 드리프트 층의 길이를 감소시켜 온 상태 전압강하를 낮추고, 그에 더불어 Trench Gate 구조도 삽입하여 온 상태 전압강하를 낮추어 최적화하였다. 시뮬레이션 데이터 결과를 확인하면 온 상태 전압강하 측면에서 기존의 NPT IGBT 구조보다 Trench Gate FS IGBT가 40%나 감소한 것을 확인할 수 있다.
#Insulated gate bipolar transistor #Field stop IGBT #Trench gate #On state voltage drop

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