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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제4호
발행연도
2012.1
수록면
261 - 265 (5page)

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광인버터, 가전제품 등에 널리 사용되고 있다. 이러한 IGBT는 파워 반도체 소자인 만큼 항복 전압과 온-상태 전압 강하, 스위칭 속도, 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하고 있다. 일반적으로 드리프트 영역의 농도를 낮추게 되면 항복 전압은 증가하지만 온 저항과 같은 기타 특성들이 감소하게 되므로 설계의 최적화 및 구조 변경을 통해 항복전압특성과 온 상태 전압강하 특성을 개선시켜야 한다. 이렇듯 IGBT 소자의 효율을 높이기 위해 Tread-off 관계를 최적화시키고자 여러 가지 구조들이 나오고 있다. 본 논문에서는 같은 항복전압을 가지면서 온 상태 전압강하를 낮출 수 있는 Field Stop 구조를 가지는 IGBT를 제안하고 최적화된 NPT Planar IGBT와 Field Stop IGBT를 설계하여 두 소자의 전기적 특성을 비교 분석 및 고찰하였다.
#Field stop #IGBT #Non-punch through #Power device

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B. J. Baliga / 1996 / Power Electronics and Variable Frequency Drives / PWS Publishers google schola E. G. Kang / 2000 / / J. KIEEME 13 : 371 ~ google schola J. S. Lee / 2006 / / J. KEEEME 19 : 912 ~ google schola 강이구 / 2002 / 인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 15 (9) : 0 ~ 0 google schola 강이구 / 2010 / 2500 V급 NPT-IGBT소자의 설계에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 23 (4) : 273 ~ 279 google schola

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