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저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 2001년 ICPE논문집
발행연도
2001.10
수록면
39 - 43 (5page)

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In this paper, excess minority carrier distribution in drift and buffer layers and accumulated charges for PT IGBT have been, for the first time, analytically expressed with different transient times, lifetimes and temperatures Furthermore those parameters are also expressed with temperature to predict the transient response which are critical to the real operation Active base region has been chosen to extract the temperature dependency of the device by including the buffer layer which is important but neglected due to the complexity up to now.

목차

Abstract

1.Introduction

2.Physics of PT-IGBT

3.PTIGBT Model

4.Results and Discussions

5.Conclusion

References

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