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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제6호
발행연도
2010.1
수록면
449 - 453 (5page)

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In this paper, the electrical characteristics of Fin-type SONOS(silicon-oxide-nitride-oxide- silicon) flash memory device with different trapping layers are analyzed in depth. Two kinds of trapping layers i.e., silicon nitride(Si3N4) and hafnium oxide(HfO2) are applied. Compared to the conventional Fin-type SONOS device using the Si3N4 trapping layer, the Fin-type SOHOS(silicon-oxide- high-k-oxide-silicon) device using the HfO2 trapping layer shows superior program/erase speed. However, the data retention properties in SOHOS device are worse than the SONOS flash memory device. Degraded data retention in the SOHOS device may be attributed to the tunneling leakage current induced by interface trap states, which are supported by the subthreshold slope and low frequency noise characteristics.
#HfO2 #SOHOS #SONOS #Flash memory #Retention #Low frequency noise

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F. Hofmann / 2005 / / Solid-State Electron. 49 : 1799 ~ google schola G. Zhang / 2007 / / IEEE Trans. Electron. Devices 54 : 3317 ~ google schola H. J. Park / 2000 / / J. KIEEME 13 : 914 ~ google schola I. H. Cho / 2003 / / Technical Digest of Device Research Conference : 133 ~ google schola John Robertson / 2006 / / Rep. on Prog. in Phys. 69 : 327 ~ google schola

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