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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 739 - 740 (2page)
이용수
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In a SONOS device, the thickness of oxide/nitride/oxide layer should be approximately 2/7/6 ㎚ - totally 11.5 ㎚ thick in terms of equivalent oxide thickness (EOT). These dielectrics are too thick to achieve good performance in nano-scale devices(＜50 ㎚ ).
We have proposed a novel SONOS memory structure - arch gate charge trap memory cell structure. It has improved program/erase due to the field concentration effects. In this ... 전체 초록 보기
We have proposed a novel SONOS memory structure - arch gate charge trap memory cell structure. It has improved program/erase due to the field concentration effects. In this ... 전체 초록 보기
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