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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.7
- 수록면
- 37 - 43 (7page)
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본 논문에서는 전하 펌프 방법 (Charge Pumping Method, CPM)를 이용하여 서로 다른 질화막 층을 가지는 N-Channel SANOS (Silicon-Al₂O₃-Nitride-Oxide-Silicon) Flash Memory Cell 트랜지스터의 트랩 특성을 규명하였다. SANOS Flash Memory에서 계면 및 질화막 트랩의 중요성은 널리 알려져 있지만, 소자에 직접 적용 가능하면서 정확하고 용이한 트랩 분석 방법은 미흡하다고 할 수 있다. 기존에 알려진 분석 방법 중 전하 펌프 방법은 측정 및 분석이 간단하면서 트랜지스터에 직접 적용이 가능하여 MOSFET에 널리 사용되어왔으며 최근에는 MONOS/SONOS 구조에도 적용되고 있지만 아직까지는 Silicon 기판과 tunneling oxide와의 계면에 존재하는 트랩 및 tunneling oxide가 얇은 구조에서의 질화막 벌크 트랩 추출 결과만이 보고되어 있다. 이에 본 연구에서는 Trapping Layer (질화막)가 다른 SONOS 트랜지스터에 전하 펌프 방법을 적용하여 Si 기판/Tunneling Oxide 계면 트랩 및 질화막 트랩을 분리하여 평가하였으며 추출된 결과의 정확성 및 유용성을 확인하고자 트랜지스터의 전기적 특성 및 메모리 특성과의 상관 관계를 분석하고 Simulation을 통해 확인하였다. 분석 결과 계면 트랩의 경우 트랩 밀도가 높고 trap의 capture cross section이 큰 소자의 경우 전자이동도, subthreshold slop, leakage current 등의 트랜지스터의 일반적인 특성 열화가 나타났다. 계면 트랩은 특히 Memory 특성 중 Program/Erase (P/E) speed에 영향을 미치는 것으로 나타났는데 이는 계면결함이 많은 소자의 경우 같은 P/E 조건에서 더 많은 전하가 계면결함에 포획됨으로써 trapping layer로의 carrier 이동이 억제되기 때문으로 판단되며 simulation을 통해 서도 동일한 결과를 확인하였다. 하지만 data retention의 경우 계면 트랩보다 charge trapping layer인 질화막 트랩 특성에 의해 더 크게 영향을 받는 것으로 나타났다. 이는 P/E cycling 횟수에 따른 data retention 특성 열화 측정 결과에서도 일관되게 확인할 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - Jeong-Hyong Yi / 2005 / Device degradation model for stacked-ONO gate structure with using SANOS and MOS transistors / Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International
2. [학술지(정기간행물)] - Yang (Larry) Yang / 1999 / Reliability considerations in scaled SANOS nonvolatile memory devices / Solid-State Electronics 43 (11) : 2025 ~ 2032
3. [학술지(정기간행물)] - Stephen J. Wrazien / 2003 / Characterization of SANOS oxynitride nonvolatile semiconductor memory devices / Solid-State Electronics 47 : 885 ~ 891
4. [학술대회논문] - Kerber, A. / 2002 / Strong correlation between dielectric reliability and charge trapping in SiO/sub 2//Al/sub 2/O/sub 3/ gate stacks with TiN electrodes / VLSI Technology, 2002. Digest of Technical Papers : 76 ~ 77
5. [단행본] - Won-Ho Choi / 2007 / Ramping Amplitude Multi-Frequency Charge Pumping Technique for Silicon-Oxide-Nirtride-Oxide-SiliconFlash EEPROM Cell Transistors / submitted to SSDM
2. [학술지(정기간행물)] - Yang (Larry) Yang / 1999 / Reliability considerations in scaled SANOS nonvolatile memory devices / Solid-State Electronics 43 (11) : 2025 ~ 2032
3. [학술지(정기간행물)] - Stephen J. Wrazien / 2003 / Characterization of SANOS oxynitride nonvolatile semiconductor memory devices / Solid-State Electronics 47 : 885 ~ 891
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