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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제2호
발행연도
2012.1
수록면
100 - 104 (5page)

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Fin-type SONOS 플래시 메모리는 일반적인 SONOS 플래시 메모리 소자보다 뛰어난 컨트롤을 가져 짧은 채널 효과를 극복하는 새로운 장치로 등장했다. 하지만 이러한 장점에도 불구하고 corner effect와 같은 원하지 않는 특성들도 또한 나타나고 있다. 보통 corner effect는 누설 전류를 증가시켜 성능을 악화시킨다. 본 논문에서는 3차원 공정과 소자 시뮬레이션을 사용하여 일반적인 SONOS 소자와 비교해, fin-type SONOS 플래시 메모리의 corner effect를 연구하였다. 그 결과 3차원 구조에서 향상된 메모리 특성을 나타내지 못한 원인은 이전에 연구되었던 fin 구조에서 전계의 상호간섭 영향뿐만 아니라 corner effect와 같은 원하지 않는 특성이 나타나기 때문이다.
#Corner effect #Fin width #TCAD simulation #SONOS

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참고문헌 (10)

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/ 2001 / International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) ed : 2001 ~ google schola A. Burenkov / 2003 / / Proc. of European Solid-state Device Research Conference 135 google schola B. J. Baliga / 2008 / Fundamentals of Power Semiconductor Devices / Springer : 28 ~ google schola C. W. Kim / 2004 / / Physics and High Technology 13 : 2 ~ google schola J. H. Lee / 2010 / / J. Appl. Phys 49 : 114202 ~ google schola

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