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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제2호
발행연도
2012.1
수록면
85 - 90 (6page)

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본 논문에서는 산화막과 질화막 위에 3D silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) multi layer 구조를 갖는 플래시 메모리 소자를 제작하고 이를 비교 분석하였다. 질화막 위에 제작된 소자의 경우 산화막 위에 제작된 소자보다 좋지 않은 전기적인 특성을 보였으나, 더 빠른 프로그램 / 소거 메모리 특성을 보였다. 산화막 위에 제작된 소자가 더 뛰어난 전기적인 특성을 가짐에도 불구하고, 열악한 메모리 특성을 갖는 명확한 원인을 규명하기 위해서 1/f 잡음 특성 분석이 수행되었으며, 이로부터 두 소자 모두 채널 내 격자 산란에 의한 이동도 요동 모델이 지배적이라는 것을 확인할 수 있었다. 추가적으로 1/f 잡음의 기원을 차별화할 수 있는 Hooge 변수 값 (αapp)을 추출하였으며, 더 큰 αapp를 갖는 질화막 위에 제작된 소자가 산화막 위에 제작된 소자보다 더 많은 grain boundary trap을 가지고 있다고 볼 수 있다. 따라서 질화막 위에 제작된 소자와 산화막 위에 제작된 소자의 프로그램 / 소거 속도 차이의 원인은 채널 내에 존재하는 grain boundary trap 내에 전하들이 trapping / de-trapping 되기 때문으로 설명될 수 있다.
#SONOS #Multi layer #Buffer layer #1/f noise #Mobility fluctuation

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참고문헌 (13)

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