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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제9호
발행연도
2010.1
수록면
676 - 680 (5page)

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In this paper, Fin-type silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory are fabricated and the electrical characteristics are analyzed. Compared to the planar-type SONOS devices, Fin-type SONOS devices show good short channel effect (SCE) immunity due to the enhanced gate controllability. In memory characteristics such as program/erase speed, endurance and data retention, Fin-type SONOS flash memory are also superior to those of conventional planar-type. In addition, Fin-type SONOS device shows improved SCE immunity in accordance with the decrease of Fin width. This is known to be due to the fully depleted mode operation as the Fin width decreases. In Fin-type, however, the memory characteristic improvement is not shown in narrower Fin width. This is thought to be caused by the Fin structure where the electric field of Fin top can interference with the Fin side electric field and be lowered.
#SONOS #Flash memory #P/E speed #Data retention #Endurance

목차

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/ 2001 / International Technology Roadmap for Semiconductors google schola C. W. Kim / 2004 / / Physics and High Technology 13 : 2 ~ google schola F. Dauge / 2004 / / Solid- State Electron. 48 : 535 ~ google schola L. Chang / 2003 / / Proc. IEEE : 1860 ~ google schola M. Mehrotra / 1993 / / IEDM '93 Tech. Dig. : 675 ~ google schola

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