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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제5호
발행연도
2003.1
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To realize a high integrated flash memory utilizing SONOS memory devices, the NOR type 1TC(one Transistor Cell) SONOS flash arrays are fabricated and characterized. This SONOS flash arrays with the common source lines are designed and fabricated by conventional 0.35㎛ CMOS process. The thickness of ONO for memory cells is tunnel oxide of 34 , nitride of 73 and blocking oxide of 34 . To investigate operating characteristics, CHEI(Channel Hot Electron Injection) method and bit line method are selected as the program and the erase operation, respectively. The disturbance characteristics according to the program/erase/read cycling are also examined. The degradation characteristics are investigated and then the reliability of SONOS flash memory is guaranteed.
#SONOS flash Memory #NOR type #CHEI #Disturbance #Common Source Line

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