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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제5호
발행연도
2013.1
수록면
250 - 253 (4page)

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In this paper, we fabricated 3D pillar type silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) devices for high density flash applications. To solve the limitation between erase speed and data retention of the conventional SONOS devices,bandgap-engineered (BE) tunneling oxide of oxide-nitride-oxide configuration is integrated with the 3D structure. In addition, the tunneling oxide is modulated by another method of N2 ion implantation (N2 I/I). The measured data shows that the BE-SONOS device has better electrical characteristics, such as a lower threshold voltage (VT)of 0.13 V, and a higher gm.max of 18.6 μA/V and mobility of 27.02 cm2/Vs than the conventional and N2 I/I SONOS devices. Memory characteristics show that the modulated tunneling oxide devices have fast erase speed. Among the devices, the BE-SONOS device has faster program/erase (P/E) speed, and more stable endurance characteristics,than conventional and N2 I/I devices. From the flicker noise analysis, however, the BE-SONOS device seems to have more interface traps between the tunneling oxide and silicon substrate, which should be considered in designing the process conditions. Finally, 3D structures, such as the pillar type BE-SONOS device, are more suitable for next generation memory devices than other modulated tunneling oxide devices.
#Pillar type #SONOS #Tunneling oxide #N2 ion implant #Bandgap engineering

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B. Ricco / 1998 / / Proceedings of the IEEE 86 : 2399 ~ google schola G. D. Wilk / 2001 / / Journal of Applied Physics 89 : 5243 ~ google schola H. H. Hu / 2012 / / IEEE Electron Device Letters 33 : 1276 ~ google schola H. T. Lue / 2005 / / IEEE International Electron Devices Meeting : 547 ~ google schola J. Bu / 2001 / / Solid-State Electronics 45 : 113 ~ google schola

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