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Jung Hoon Lee (서울대학교) Il Han Park (서울대학교) Seongjae Cho (서울대학교) Gil Seong Lee (서울대학교) Doo Hyun Kim (서울대학교) Jang Gn Yun (서울대학교) Yoon Kim (서울대학교) Jong Duk Lee (서울대학교) Byung-Gook Park (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
발행연도
2008.6
수록면
1,029 - 1,032 (4page)

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A novel SONOS flash memory device is proposed. The key technology of this device is the fabrication of a SONOS device on an arch shaped silicon fin. This makes the field in the tunneling oxide higher and that in the barrier oxide smaller. So when the gate bias is applied for program operation, the tunneling current increases and program speed increases. In the erase operation, back tunneling current from the poly-silicon gate decreases due to the reduced electric field. Therefore, there is no erase saturation phenomenon, enabling high speed erase operation.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Device Concept and Simulation
3. Fabrication Process
3. Conclusions
Acknowledgments
References

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