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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 624 - 630 (7page)
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ZnO deposition parameters are not independent and have a nonlinear and complex property. To propose a method that could verify and predict the relations of process variables, neural network was used. At first, ZnO thin films were deposited by using RF magnetron sputtering process with various conditions. Si, GaAs, and Glass were used as substrates. The temperature, work pressure, and RF power of the substrate were 50～500 ℃, 15 mTorr, and 180～210 W, respectively : the purity of the target was ZnO 4 N. Structural properties of ZnO thin films were estimated by using XRD (0002) peak intensity. The structure of neural network was a form of 4-7-1 that have one hidden layer. In training a network, learning rate and momentum were selected as 0.2, 0.6 respectively. A backpropagation neural network were performed with XRD (0002) peak data. After training a network, the temperature of substrate was evaluated as the most important parameter by sensitivity analysis and response surface. As a result, neural network could capture nonlinear and complex relationships between process parameters and predict structural properties of ZnO thin films with a limited set of experiments.
목차
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/ 1992. / A general characterization and simulation method for deposition and etching tech- nology 5 (i) : 27 ~
/ 1994. / An optimal neural network process model for plasma etching 7 (1) : 12 ~
/ 1998. / RF 마그네트론 반응성 스퍼터링으로 제작된 ZnO/Glass 박막 특성 11 (10) : 833 ~
/ 1999. / Building neural network equipment models using model modifier techniques 12 (3) : 377 ~
/ 2000. / Optical and structural properties of ZnO ilms deposited on GaAs by pulsed laser eposition 88 (1) : 201 ~
/ 1994. / An optimal neural network process model for plasma etching 7 (1) : 12 ~
/ 1998. / RF 마그네트론 반응성 스퍼터링으로 제작된 ZnO/Glass 박막 특성 11 (10) : 833 ~
/ 1999. / Building neural network equipment models using model modifier techniques 12 (3) : 377 ~
/ 2000. / Optical and structural properties of ZnO ilms deposited on GaAs by pulsed laser eposition 88 (1) : 201 ~
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