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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
한석규 (충남대학교 재료공학과) 홍순구 (충남대학교 재료공학과) 김효진 (충남대학교 재료공학과) 이재욱 (한국과학기술원 신소재공학과) 이정용 (한국과학기술원 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제16권 제6호
발행연도
2006.1
수록면
360 - 366 (7page)

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A series of ZnO thin films were grown by radio-frequency (RF) magnetron sputtering with various RF powers on $SiO_2/Si$(100) substrates at $500^{\circ}C$. Thicknesses of the investigated ZnO films were fixed to about 250nm by changing the growth time based on the changes of growth rates with RF powers. All the ZnO thin films were grown with <0001> preferred orientation. Average grain sizes of about 250nm-thick ZnO films evaluated by FE-SEM, AFM, and TEM were increased by decreasing the RF power. Structural properties addressed by FWHM values of XRD (0002) omega rocking curves and their intensities were better for the smaller grain sized ZnO films grown with high RF powers, which implies small values of tilt for smaller grain sized ZnO films. However, optical properties addressed by intensities of band edge emissions from room temperature and low temperature photoluminescence were better for the larger grain sized ZnO films with low RF power, which implies grain boundaries acted as nonradiation recombination centers.

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