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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제5호
발행연도
2006.1
수록면
461 - 466 (6page)

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To investigate the ZnO thin films which are interested in the next generation of short wavelength LEDs and Lasers, the ZnO thin films were deposited by RF sputtering system. At sputtering process of ZnO thin films, substrate temperature, work pressure respectively is 100 ℃ and 15 mTorr, and the purity of target is ZnO 5 N. The ZnO thin films were in-situ annealed at 600 ℃ in O2 atmosphere. The thickness of ZnO thin films has implemented about 1.6 ㎛ at SEM analysis after in-situ annealing process. We have investigated the crystal structure of substrates, and so structural properties of ZnO thin films has estimated by using XRD, FWHM, FE-SEM and AFM. XRD and FE-SEM showed that ZnO thin films grown on substrates had a c-axis preferential orientation in the [0001] crystal direction. XPS spectra showed that ZnO thin film was showed a peak positions corresponding to the O1s and the Zn2p. As form above XPS, we showed that the atom ratio of Zn:O related 1:1.1504 on ZnO thin film, so we could obtained useful information for p-type ZnO thin film.

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