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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 656 - 661 (6page)
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The effects of gas atmosphere and in-situ thermal annealing in buffer layers on the characteristic of the ZnO grown by RF magnetron sputtering have been investigated. It was shown that the introduction of buffer layers grown at the gas atmospheres of the mixed Ar/O2 and the in-situ thermal treatment of the ZnO buffer layer improved the structural and optical properties. In addition, the ZnO films on the buffer layer thermal-annealed at N2 gas ambience showed the strong emission of the near band gap exciton with narrow linewidth by combining the high-temperature growth of the ZnO film.
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/ 1975. / The luminescence of ZnO under high one- and two-quantum exci- tation 71 (2) : 547 ~
/ 1989. / Properties of conductive zinc oxide films for trans- parent electrode applications prepared by rf magnetron sputtering 66 (5) : 2027 ~
/ 1997. / Deposition of transparent and conductive Al-doped ZnO thin films for photovoltaic solar cells 45 (1) : 75 ~
/ 2001. / Optical and electrical properties of direct- current magnetron sputtered ZnO 90 : 3432 ~
/ 2003. / Effect of post-thermal annealing on properties of ZnO thin film grown on c-Al2O3 by metal-organic chemical vapor deposition 252
/ 1989. / Properties of conductive zinc oxide films for trans- parent electrode applications prepared by rf magnetron sputtering 66 (5) : 2027 ~
/ 1997. / Deposition of transparent and conductive Al-doped ZnO thin films for photovoltaic solar cells 45 (1) : 75 ~
/ 2001. / Optical and electrical properties of direct- current magnetron sputtered ZnO 90 : 3432 ~
/ 2003. / Effect of post-thermal annealing on properties of ZnO thin film grown on c-Al2O3 by metal-organic chemical vapor deposition 252
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