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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제9호
발행연도
2008.1
수록면
789 - 794 (6page)

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Zinc oxide (ZnO) has been widely studied for its practical applications such as transparent conduction electrodes for flat panel displays and solar cells. Especially, ZnO films show good chemical stability against hydrogen plasma, absence of toxicity, abundance in nature, and then suitable for photovoltaic applications. However, the fabrication process of thin film solar cells require a high substrate temperature and/or post heat treatment. Therefore, the layers have to withstand high temperatures, requiring an excellent stability without degrading their electronic and optical properties. In this paper, we investigated the stability of zinc oxide (ZnO) films doped with aluminum and hydrogen. Doped ZnO films were prepared by r.f. magnetron sputter and followed by heat treatment at different temperatures and for various times.

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