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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제6호
발행연도
2004.1
수록면
234 - 237 (4page)

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Copper metallization has been used in high-speed logic ULSI devices instead of the conventional aluminum alloy metallization. One of the key issues in copper CMP is the development of slurries that can provide high removal rates. In this study, the effects of slurry chemicals and pH for slurry dispersion stability on Cu CMP process characteristics have been performed. The experiments of copper slurries containing each different alumina and colloidal silica particles were evaluated for their selectivity of copper to TaN and SiO2 films. Furthermore, the stability of copper slurries and pH are important parameters in many industries due to problems that can arise as a result of particle settling. So, it was also observed about several variables with various pH.
#Chemical mechanical polishing #Copper #Slurry #Dispersion stability #Removal rate

목차

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참고문헌 (8)

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/ 1997. / Chemical Mechanical Planarization of Micro-electronic Materials. google schola / 1999. / Adsorption of ionic surfactants in particulate systems 146 (1-3) : 75 ~ google schola / 1999. / In Chemical-mechanical polishing fundamentals and challenges pv 566 : 129 ~ google schola / 2002 / Effects of diluted silica slurry and abrasives on the CMP characteristics 15 (10) : 2002 ~ google schola / 2002. / The role of glycine in the chemical mechanical planarization 149 (6) : G352 ~ google schola

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