Cu-Cu 열압착 웨이퍼 접합부의 계면접합강도에 미치는 N2+H2 분위기 열처리의 영향

장은정; 현승민; 이학주; 김재원; Bioh Kim; Thorsten Matthias; 박영배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 장은정 현승민 이학주 김재원 Bioh Kim Thorsten Matthias 박영배

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제16권 제3호

발행연도: 2009.1

수록면: 31 - 37 (7page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (4)

2009

3차원 적층패키지의 Cu-Cu 접합부의 정량적 접합강도 평가 및 향상에 관한 연구

장은정 , 김재원 , Bioh Kim 외 5명 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 2009.05 학술대회자료

Cu-Cu 열압착 웨이퍼 접합부의 계면접합강도에 미치는 N2+H2 분위기 열처리의 영향

장은정 , 현승민 , 이학주 외 5명 마이크로전자 및 패키징학회지 2009.01 학술저널

2008

3차원 소자 집적을 위한 Cu-Cu 접합의 계면접착에너지에 미치는 후속 열처리의 영향

장은정 , 현승민 , 이학주 외 1명 한국재료학회지 2008.01 학술저널

3D IC 패키징을 위한 열처리 효과에 따른 Cu-Cu 접합부의 계면 특성 평가

장은정 , 현승민 , 이학주 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2008.01 학술대회자료

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3차원 소자 집적을 위한 저온접합 공정 개발을 위해 Cu-Cu 열 압착 접합을 300℃에서 30분간 실시하고 N2+H2, N2 분위기에서 전·후속 열처리 효과에 따른 정량적인 계면접착에너지를 4점굽힘시험법을 통해 평가하였다. 전 열처리 는 100, 200℃의 N2+H2 가스 분위기에서 각각 15분간 처리하였고, 계면접착에너지는 2.58, 2.41, 2.79 J/㎡로 전 열처리 전·후에 따른 변화가 없었다. 하지만 250, 300℃의 N2 분위기에서 1시간씩 후속 열처리 결과 2.79, 8.87, 12.17 J/㎡으 로 Cu 접합부의 계면접착에너지가 3배 이상 향상된 결과를 얻을 수 있었다.

#Adhesion #4-point bending test #3-D IC integration #pre-annealing #post-annealing

참고문헌 (14)

참고문헌 신청

H. Tilmans / 2000 / The intend reflow sealing technique, a method for fabrication of sealed cavities for MEMS devices / J. Microelectromech. Syst. 9 : 206 ~

H. Zhenyu / 2005 / Initiation and arrest of an interfacial crack in a four-point bednd test / Eng. Fracture Mech. 72 : 2584 ~

J.-Q. Lu / 2001 / Stacked Chip-to-Chip interconnections using wafer bonding technology with eielectric bonding glues / Proceedings of the IEEE International Interconnect Technology

K. N. Chen / 2003 / Temperature and duration effects on microstructure evolution during copper wafer bonding / J. Electron. Mat. 32 : 1371 ~

K. N. Chen / 2005 / Copper bonded layers analysis and effects of copper surface conditions on bonding quality for three-dimensional integration / J. Electron. Mat. 34 : 1464

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