Cu 박막과 SiO2 절연막사이의 TaNx 박막의 접착 및 확산방지 특성

김용철; 이도선; 이원종

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김용철 이도선 이원종

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제16권 제3호

발행연도: 2009.1

수록면: 19 - 24 (6page)

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3차원 패키지용 고종횡비 TSV(through-Si via)를 이용한 배선 공정에서 via 충진을 위한 대표적인 방법중의 하나가 via 내부에 SiO2 절연막을 형성한 다음 sputtering법으로 접착/확산방지막 및 씨앗층을 형성하고 전해도금법으로 Cu를 충진하는 방법이다. 본 연구에서는 Cu 박막과 SiO2 절연막 사이에 reactive sputtering법으로 증착한 TaNx 박막의 조 성에 따른 접착특성 및 확산방지막특성을 연구하였다. TaNx 박막의 질소함량에 따른 Cu 박막과 SiO2 절연막 사이의 접 착력을 180o peel test와 topple test를 이용하여 정량적으로 측정하였다. TaNx 박막 내 질소함량이 증가함에 따라 접착력 은 더욱 증가하였는데, 이는 질소함량이 증가함에 따라 TaNx 박막과 SiO2 절연막사이의 계면에서 계면반응물의 생성이 증가하였기 때문으로 해석된다. 고온에서 열처리를 통하여 Cu에 대한 확산방지막으로서의 특성을 조사한 결과, TaNx 박 막은 Ta 박막에 비하여 우수한 Cu에 대한 확산방지 특성을 보였으며 N/Ta 성분비 1.4까지는 TaNx 박막 내 질소함량의 증가에 따라 확산방지특성도 향상되었다.

#TSV #adhesion #diffusion barrier #TaN #Cu

참고문헌 (7)

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D.W. Butler / 1970 / The Stylus or Scratch Method for Thin Film Adhesion Measurement: Some Observations and Comments / J. Phys. D 3 : 877 ~

J. U. Knickerbocker / 2005 / Development of Nextgeneration System-on-package Technology Based on Silicon Carriers with Fine-pitch Chip Interconnection / IBM J. Res. Develop.

K. H. Min / 1996 / Comparative Study of Tantalum and Tantalum nitrides (Ta2N and TaN) as a Diffusion Barrier for Cu Metallization / J. Vac. Sci. Technol. B 14 (5) : 3263 ~

L. Jiang / 2002 / Copper Thermal Diffusion in TaN Films on Si Substrate / Jpn. J. Appl. Phys. 41 : 6525 ~

L. Schaper / 2007 / Integrated System Development for 3- D VLSI / 57th Electronic Components and Technology Development : 853 ~

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