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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제12권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
345 - 349 (5page)

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300-cm의 낮은 비저항을 갖는 카본-질소-텅스텐 (W-C-N) 확산방지막을 원자층 증착법으로 제조하였으며, 반응기체로 WF6-N2-CH4를 사용하였다. N2 및 CH4 반응기체를 주입 할 때는 고주파 펄스를 인가하여 플라즈마에 의한 반응물의 분리가 일어나도록 하였다. 다층금속배선에 사용하는 층간절연층 (TEOS) 위에서 W-C-N 박막은 원자층 증착기구를 따르며, 10에서 100 사이클 동안 증착율이 0.2 nm/cycles 로 일정한 값을 가진다. 또한 Cu 배선을 위한 확산방지막으로써 W-C-N 박막은 비정질 상을 가지며, 800 ℃에서30 분간 열처리해도 Cu의 확산을 충분히 방지할 수 있음을 확인하였다.
#Diffusion barrier #W-C-N film #Cu interconnection #ALD #atomic layer deposition)

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